Русский

Кютт Регинальд Николаевич

Контактная информация:

Электронный адрес:  r [dot] kyutt [at] mail [dot] ioffe [dot] ru

Телефон: +7(812)515-9238

Факс: (812) 297-1017

Адрес: 194021 C-Петербург,  Политехническая, 26. Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН

 

Образование:

1995  Доктор физико-математических наук . Специальность 01.04.07 – физика конденсированного состояния. Тема диссертации «Рентгеновская дифрактометрияреальной структуры монокристаллов и эпитаксиальных слоев на основе двумерного анализа интенсивности» - Защита на диссертационном совете Физико-технического института им.А.Ф.Иоффе РАН

1978 Кандидат  физико-математических наукю.  Специальность 01.04.07 – физика твердого тела. Тема диссертации – «Температурная зависимость интегральной интенсивности .рентгеновчской дифракции и факторы Дебая-Валлера совершенных и несовершенных кристаллов»  Защита в Ленинградском политехническом институте.

1966 Диплом Ленинградского государственного университета им.А.А.Жданова (физический факультет), Ленинград, СССР. Специальность: Физика (физика рентгена)

Опыт работы:

2012 Профессор кафедры Нейтронная и синхротронная физика Физического факультета Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург,

1996 - 2012 Профессор кафедры физики твердого тела Фмзико-технического факультета С-Петербургского Политехнического университета

1992 - 1996 Доцент кафедры физики твердого тела Фмзико-технического факультета С-Петербургского Политехнического университета

2005 - 2012 Ведущий науч. сотрудник Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе РАН

1995 - 2005 Старший научный сотрудник Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе РАН

1967 - 2005 Последовательно стажер-исследователь, ст. инженер, мл.науч.сотр, науч. сотр. Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе РАН

Область интересов:

  1. Рентгеновская дифракция в кристаллических объектах
  2. Структурные исследования монокристаллов и кристаллических слоев
  3. Малоугловое рассеяние рентгеновских лучей

Преподавательская деятельность:

  1. Теория взаимодействия рентгеновского и синхротронного излучения с веществом
  2. Рентгеновские и электронно-микроскопические методы
  3. Введение в крисллографию

Устные и стендовые доклады на научных конференциях:

  1. XTOP  - European Biennial Conference on High Resolution Diffraction and Imaging. Marsel, 1992; Berlin, 1994;  Palermo, 1996;  Durham, 1998; Yashovice, 2000; Grenoble, 2002;  Prague, 2004, Linz,, 2008;  Warwick, 2010; S-Petersbutg, 2012.
  2. Всероссийские конференции по применению рентгеновских лучей к исследованию материалов РСНЭ – Дубна, 1997, Москва – 1999,  2001, 2003, 2005, 2007, 2009, 2011.
  3. Международная школа-семинар «Современные методы анализа дифракционных данных» Великий Новгород,  2002, 2004, 2006, 2007, 2008, 2011.
  4. 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides, S-Petersburg, 2012.
  5. Всероссийское совещание ‘Нитриды галлия, алюминия и индия – Структура и приборы’. С-Петербург,  2000: 2005,  2008, 2011.
  6. Nanostructures: Physics and Technology. International symposium. St-Petersburg, 1993, 1996, 1998, 2001, 2003, 2006.
  7. 6th Biennial International Workshop “Fullerenes and Atomic Clusters” IWFAC’2003.  St Petersburg.
  8. 14th International Conference оf II-VI Compounds. St.Petersburg, Russia, 2009
  9. Европейский кристаллографический конгресс, Москва, 1989
  10. Межвузовскоие совещания по комплексной программе "Рентген", Ереван, 1987; Черновцы,1989.
  11. Internationalconferenceontheformationofsemiconductorinterfaces (ICFSI-7) 1999, Geteborg, Sweden
  12. Всесоюзная конференция "Динамическое рассеяние рентгеновских лучей в кристаллах с динамическими и статическими искажениями» Киев, 1984; Мегри (Армения), 1989.
  13. Всесоюзная конференция по росту кристаллов, Харьков, 1992; Москва, 2000.
  14. 1 Всероссийская конференция по физике полупроводников.  Нижний Новгород, 1993.
  15. Всесоюзное совещание по когерентному взаимодействию излучения с веществом. Ереван, 1979, Ужгород, 1985, Юрмала, 1988, Симферополь, 1990
  16. Всесоюзное совещание по применению рентгеновских лучей к исследованию материалов. Звенигород,1976;  Черноголовка, 1982.
  17. International working meeting on ion implantation in semiconductors and other materials. Prague, 1981
  18. Всесоюзное совещание «Дефекты структуры в полупроводника», Новосибирск. 1978, 1984.
  19. Всесоюзное межвузовское совещание по многоволновому рассеянию рентгеновских лучей. Ереван, 1978,
  20. Всесоюзное совещание по динамическим эффектам рассеяния рентгеновских лучей и электронов. Ленинград, 1976.

Гранты:

Грант РФФИ «Дифракция рентгеновских лучей в наноструктурах: новый подход к определению структурных параметров» 1996-1998 (руководитель)

Грант РФФИ «Новые возможности анализа поверхностных структур на основе Лауэ-дифракции рентгеновских лучей»  2000-2002  (руководитель)

Грант РФФИ «Новый подход к исследованию микроструктуры эпитаксиальных слоев нитридов методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии» 2002-2005 (руководитель)

Грант РФФИ «Послойный анализ дефектной структуры кристаллов на основе новых методов рентгеновской дифракции», 2006-2009 (руководитель)

Грант РФФИ «Многоволновая дифракция как средство исследования структурного стостояния поверхностных кристаллических слоев»

Программы ОФН «Новые материалы и структуры»,  гранты 2002-2005, 2006-2008, 2009-2011, 2012-2014.

Книги и учебные пособия:

В.Б.Молодкин, А.И.Низкова, В.П.Кладько, И.В.Прокопенко, Р.Н.Кютт, Е.Н.Кисловский, С.И.Олиховский, И.М.Фодчук, А.А.Дышеков, Ю.П.Хапачев. Дифрактометрия наноразмерных дефектов и гетерослоев кристаллов.  Киев. Академпериодика, 2005, 362с. (ISBN 966-360-038-1)

Авторские свидетельства:

Кютт Р.Н.,  Аргунова Т.С. - Способ обнаружения дислокаций несооответствия в эпитаксиальных системах. -   Авторское свидетельство 1459434 от 29.9.1987.

Кютт Р.Н., Аргунова Т.С «Способ исследования структурного совершенства эпитаксиальных систем» . Авторское свидетельство № 1823613 от 12 октября 1992.

Основные публикации:

  1. Р.Н.Кютт,  О.Н.Ефимов   --Температурная зависимость аномального прохождения рентгеновских лучей в кремнии.-  ФТТ. т.11, в.1, с.283-289. (1969).
  2. Р.Н.Кютт. -- Брэгговская дифракция рентгеновских лучей в кристаллах кремния, легированных ионами бора. -- Письма в ЖТФ, т.1, в.18, с.839-844 (1975).
  3. Р.Н.Кютт. -- Среднеквадратичные смещения атомов и дебаевские температуры кристаллов А3В5.-- ФТТ, т.20, в.2, с.395-399 (1978).
  4. R.N.Kyutt, P.V.Petrashen', L.M.Sorokin. --Strain profikes in ion-doped silicon obtained from X-ray rocking curves. -- Phys.stat.sol.(a), v.60, p.381-389 (1980).
  5. Р.Н.Кютт, Е.Н.Мохов, А.С.Трегубова. - Деформация и совершенство слоев карбида кремния, легированных алюминием и бором. -- ФТТ, т.23, в.12, с.3496-3499 (1981).
  6. Р.Н.Кютт, А.А.Ситникова, Л.М.Сорокин. - Диффузное рассеяние от стержнеобразных дефектов в кристаллах кремния с кислородом. - ФТТ, т.27, в.3, с.673-677 (1985).
  7. Р.Н.Кютт, В.В.Ратников. - Наблюдение динамических эффектов в диффузном рассеянии рентгеновских лучей на трехкристальном спектрометре в Лауэ-геометрии. - Металлофизика, т.7, в.1, с.36-41 (1985).
  8. Щеглов М.П., Кютт Р.Н., Сорокин Л.М. - Измерение рассеяния рентгеновских лучей в условиях зеркального отражения в дифференциальном режиме. -  ЖТФ, , т.57, с.1436-1438 (1987)..
  9. Кютт Р.Н., Аргунова Т.С.  Влияние дислокаций несоответствия на брэгговскую дифракцию рентгеновских лучей. - ФТТ,  т.31, с.40-45 (1989).
  10. Кютт Р.Н.  Особенности брэгговской дифракции рентгеновских лучей на эпитаксиальных пленках неоднородного состава. -  ФТТ, т.31, в.8, с.270-272 (.1989)
  11. ArgunovaT.S., KyuttR.N., ScheglovM.P., FaleevN.N.. - Determination of YBaCuO thin layer structural parameters by using high-resolution X-ray diffractometry.  J.Phys.D,  v.28, N A4, p.A212 - A215. (1995).
  12. Kyutt R.N., Ruvimov S.S., Argunova T.S. - X-ray triple crystal diffracometry and transmission electron microscopy characterization of defects in lattice-missmatched epitaxic structures. - J.Appl.Cryst., v.28, N6, p.700-706 (1995).
  13. Р.Н.Кютт, Т.С.Аргунова. - Определение структурных параметров тонких пленок YBaCuO методами высокоразрешающей рентгеновской дифракии. - ФТТ, т.38, в.1, с.89-99 (1996).
  14. R.N.Kyutt, A.Yu.Khilko, N.S.Sokolov. - LaueX-raydiffractionfromheterostructures: CdF2-CaF2 superlatticesonSi(111). - Appl.Phys.Lett. v.70, N 12, p.1563-1565 (1997)/
  15. R.N.Kyutt, T.S.Argunova. - Application of X-ray Diffraction in Laue Geometry to Imperfect Near Surface Layers  -   Il Nuovo Cimento, v.19D, N 2-4, p.267-275 (1997).
  16. Р.Н.Кютт - Измерение дифференциального и интегрального диффузного рассеяния рентгеновских лучей от дефектов в тонких слоях. - ФТТ, т.39, в.7, с.1188-1193 (1997). -
  17. BobylA.V., GaevskiM.eE., KarmanenkoS.F., KyuttR.N., SurisR.A., KhrebtovI.A., TkachenkoA.D., MorosovA.I. - Intrinsicmicrostrainesandnormal-phaaseflickernoiceinYBaCuOepitaxialfilmsgrownonvarioussubstrates. - J.Appl.Phys., v.82, N2, p.    (1997)
  18. Р.Н.Кютт, В.В.Ратников, Г.Н.Мосина, М.П.Щеглов.—Структурное совершенство эпитаксиальных слоев GaN по данным рентгенодифракционных измерений--ФТТ, 41, 30 - 37 (1999)
  19. R.N.Kyutt, A.A.Toropov, S.V.Sorokin, T.V.Shubina, S.V.Ivanov, M.Karlsteen, M.Vilander. //Broadening of submonolayer CdSe sheets in CdSe/ZnSe superlattices studied by X-ray diffraction.  Appl.Phys.Lett., v.75, N3, p 373,  1999
  20. V.V.Ratnikov, R.N.Kyutt, T.V.Shubina, T.Pashkova, B.Monemar // Bragg and Laue diffraction study of dislocations in thick hydride vapour phase epitaxy GaN films -J.Appl.Phys., v.88, 6252-6259 (2000).
  21. R.N.Kyutt, N.A.Sobolev, Yu.A.Nikolaev, V.I.Vdovin.  Defect structure of erbium-doped (111) silicon layers formed by solid state epitaxy.  Nucl. Instr. Meth. B173, 319-325 (2001).
  22. V.V.Ratnikov, R.N.Kyutt, T.V.Shubina, T.Pashkova, B.Monemar.  Detemination of microdistortion components and their application to structural characterization of HVPE GaN epitaxial structures.  J.Phys.D. Appl.Phys., 34 (2001), A30-34.
  23. Р.Н.Кютт.  Трехкристальная дифрактометрия сверхрешеток и других многослойных эпитаксиальных структур.   Металлофизика и новейшие технологии, т.24, 497-512 (2002)
  24. R.N.Kyutt, T.V.Shubina, S.V.Sorokin, D.D.Solnyshkov, S.V.Ivanov, M.Willander.  X-ray diffraction determination of the interface structure of CdSe/BeTe superlattices.  J.Phys.D: Appl.Phys. 36, A166-171 (2003).
  25. E.A.Smorgonskaya, R.N.Kyutt, A.M.Danishevskii, S.K.Gordeev. Ultra-small angle X-ray scattering from bulk nanoporous carbon, produced from silicon carbide.  Carbon, v.42, p. 405-413 (2004).
  26. Р.Н.Кютт. Идентификация дефектов в многослойных кристаллических структурах методом трехкристальной дифрактметрии.  Металлофизика и новейшие технологии, т.27, в.2, с. 233-247 (2005).
  27. R.N.Kyutt, I.L.Shulpina, G.N.Mosina, V.V.Ratnikov, L.M.Sorokin, M.P.Scheglov, S.S.Ruvimov, J.Kearns, V.Todt. X-ray diffraction study of defects distribution in Czochralski grown silicon highly doped by As. //J.Phys.D: Appl.Phys. 38, A111-116 (2005).
  28. Кютт Р.Н., Мосина Г.Н., Щеглов М.П., Сорокин Л.М.
  29. Дефектная структура сверхрешеток AlGaN/GaN, выращенных методом MOCVD на сапфире.  ФТТ, т.48, в.8, с. 1491-1497 (2006).
  30. R.N.Kyutt1, A.G.Banshchikov1, A.K.Kaveev1, N.S.Sokolov1, Y.Ohtake2, M.Tabuchi2, Y.Takeda2, A.A.Lomov3 Structure and surface morphology of MnF2 epitaxial layersgrown on grooved and ridged CaF2 (110) surface  J. Phys. D: Appl. Phys. 40 (2007) 4896-4901.
  31. R. N. Kyutt*, M. P. Shcheglov, V. V. Ratnikov, and A. E. Kalmykov.X-ray diffraction study of strain anddefect structure of nonpolar a-plane GaN-layersgrown on r-plane sapphire.  Phys. Status Solidi A 206, No. 8, 1757–1760 (2009)
  32. В.В.Ратников, Р.Н.Кютт, С.В.Иванов, М.П.Щеглов, А.ВаагИ.  Микроструктура и деформации молекулярно-пучковых эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире.  ФТП, 44, 265-269 (2010)
  33. Кютт Р.Н. Изучение дефектной структуры эпитаксиальных слоев GaN на основе анализа пиков трехволновой дифракции рентгеновских лучей. Письма в ЖТФ, т. 36, вып. 15, с. 14-20 (2010)
  34. Р.Н.Кютт // Трехволновая дифракция в нарушенных эпитаксиальных слоях с вюрцитной структурой.   ЖТФ, т.81, вып 5, с.81-88 (2011)
  35. Кютт,РНСтруктурная характеризация сверхрешеток AlGaN/GaN на основе трехволновой дифракции рентгеновских лучей
  36. Письма ЖТФ, т.38, 1, 77-85 (2012)
  Русский