Рефлектометрия

При падении излучения на поверхность образца под очень малым углом (~10^-3-10^-2 рад, скользящая геометрия) происходит рассеяние, отражение, поглощение, которые свидетельствуют, как о структуре самой поверхности, так и об изменении плотности рассеяния вглубь образца (рис.1).

Меняя угол падения и анализируя только зеркально отражённый луч, получают так называемые рефлектометрические кривые (рис. 2). Анализ таких кривых позволяет установить глубинную структуру тонких плёнок, многослойных массивов, а также судить о шероховатости поверхности и интерфейсов между отдельными слоями. Измеряя компоненту Q в плоскости образца (x,y), можно изучать латеральную структуру пленки, ее поверхности и интерфейса с подложкой (Рис.3). Предметом изучения, при этом, являются поверхности жидкостей, кристаллических или аморфных тел (пластины бесконечно большой площади по отношению к их толщине, тонкие пленки на подложках), а также внутренние границы в системах жидкость - жидкость, жидкость – твердое тело, пленка - подложка. С помощью поляризованных нейтронов изучают магнитный профиль образца вдоль нормали к его поверхности, то есть поведение вектора локальной намагниченности вглубь образца. В частности исследуются особенности магнитных свойств приповерхностной (толщиной до 10000 Å) области ферромагнетиков, идеальных диамагнетиков – сверхпроводников или многослойных структур. Метод рефлектометрии также идеально подходит для проверки качества новых многослойных суперзеркал, исследования гранулированных магнитных плёнок, ферромагнитных жидкостей и т.д.